29 lat na rynku
Oddziały w 7 krajach
Klienci z ponad 100 krajów
Wsparcie od prototypu aż po produkcję

IRFBC 40 PBF | VISHAY IR

Tranzystor N-MOSFET 6,2A/600V TO220

Nr artykułu: 7516
Min. ilość: 1 szt
Dozwolona ilość zamówienie: 1 szt (1, 2, 3 ... szt)
Opakowanie jednostkowe: 50 szt
Kategoria: Tranzystory unipolarne FET wysokonapięciowe
Informacje o produkcie: Na zamówienie
Producent: VISHAY IR
Pobierz ofertę cenową
Zamawiam: szt -
  • Włożyć do koszyka
  • Wyślij zapytanie
  • Dodać do ulubionych
  • Obserwować
  • Dodaj produkt do porównania

Ceny są podane bez podatku VAT. Ceny produktów, które nie są przechowywane w naszym magazynie, mogą się różnić od cen wskazanych. Widoczne ceny gwarantujemy tylko przy zakupie towaru dostępnego z naszego magazynu.

IRFBC 40 PBF
Tranzystor N-MOSFET 6,2A/600V TO220

Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu

Nr artykułu: 7516
Min. ilość: 1 szt
Dozwolona ilość zamówienie: 1 szt (1, 2, 3 ... szt)
Opakowanie jednostkowe: 50 szt
Kategoria: Tranzystory unipolarne FET wysokonapięciowe
Informacje o produkcie: Na zamówienie
Producent: VISHAY IR
Pobierz ofertę cenową
Zamawiam: szt -
  • Włożyć do koszyka
  • Wyślij zapytanie
  • Dodać do ulubionych
  • Obserwować
  • Dodaj produkt do porównania

Ceny są podane bez podatku VAT. Ceny produktów, które nie są przechowywane w naszym magazynie, mogą się różnić od cen wskazanych. Widoczne ceny gwarantujemy tylko przy zakupie towaru dostępnego z naszego magazynu.

Techniczne parametry

Producent VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET N
Power 125 W
Case TO220AB
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1,2 Ohm / 3,4A / 10V
Continuous Drain Current 6,2A
On/Off Time (Max) 13ns/55ns
On Resistance Max. 1,2 Ohm
Operating Voltage 600 V
Output Current A -6,2 A
RoHS Tak

Dokumenty do pobrania

Brak dokumentów do pobrania
Pliki cookie pomagają nam w świadczeniu usług. Korzystając z naszych usług, wyrażają Państwo zgodę na używanie plików cookie.
OK Więcej informacji