Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu

IRFD 110 PBF | VISHAY IR

Tranzystor N-MOSFET 1A/100V DIP4
Nr artykułu: 40823
Dostępne 56 szt
Min. ilość: 5 szt
Dozwolona ilość zamówienie: 1 szt (5, 6, 7 ... szt)
Kategoria: Tranzystory unipolarne FET wysokonapięciowe
Informacje o produkcie: Pozycja magazynowa
Producent: VISHAY IR
Cena/szt. bez VAT
5 szt+ 1,81 Zł
10 szt+ 1,50 Zł
50 szt+ 1,36 Zł
100 szt+ 1,31 Zł
Pobierz ofertę cenową
Chcesz lepsze ceny?
Jeżeli jesteście firmą lub jest prowadzona działalność gospodarcza, po zarejestrowaniu można uzyskać niższe ceny.
Ceny są podane bez podatku VAT. Ceny produktów, które nie są przechowywane w naszym magazynie, mogą się różnić od cen wskazanych. Widoczne ceny gwarantujemy tylko przy zakupie towaru dostępnego z naszego magazynu.
Zamawiam: szt -
  • Włożyć do koszyka
  • Wyślij zapytanie
  • Dodać do ulubionych
  • Obserwować
  • Dodaj produkt do porównania
IRFD 110 PBF
Tranzystor N-MOSFET 1A/100V DIP4

Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu

Nr artykułu: 40823
Dostępne 56 szt
Min. ilość: 5 szt
Dozwolona ilość zamówienie: 1 szt (5, 6, 7 ... szt)
Kategoria: Tranzystory unipolarne FET wysokonapięciowe
Informacje o produkcie: Pozycja magazynowa
Producent: VISHAY IR
Cena/szt. bez VAT
5 szt+ 1,81 Zł
10 szt+ 1,50 Zł
50 szt+ 1,36 Zł
100 szt+ 1,31 Zł
Pobierz ofertę cenową
Chcesz lepsze ceny?
Jeżeli jesteście firmą lub jest prowadzona działalność gospodarcza, po zarejestrowaniu można uzyskać niższe ceny.

Ceny są podane bez podatku VAT. Ceny produktów, które nie są przechowywane w naszym magazynie, mogą się różnić od cen wskazanych. Widoczne ceny gwarantujemy tylko przy zakupie towaru dostępnego z naszego magazynu.

Zamawiam: szt -
  • Włożyć do koszyka
  • Wyślij zapytanie
  • Dodać do ulubionych
  • Obserwować
  • Dodaj produkt do porównania

Techniczne parametry

Producent VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET N
Power 1,3 W
Case DIP4
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm / 0,6A / 10V
Continuous Drain Current 1A
On/Off Time (Max) 7ns/15ns
On Resistance Max. 540 mOhm
Operating Voltage 100 V
Output Current A 1 A
Note n/a
Series n/a
RoHS Tak

Dokumenty do pobrania

Karta katalogowa producenta:
Pliki cookie pomagają nam w świadczeniu usług. Korzystając z naszych usług, wyrażają Państwo zgodę na używanie plików cookie.
OK Więcej informacji